Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Реферативна база даних (4) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Gudina S$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 5 Представлено документи з 1 до 5 |
|||
| 1. | 
Gudina S. V. Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure [Електронний ресурс] / S. V. Gudina, V. N. Neverov, E. G. Novik, E. V. Ilchenko, G. I. Harus, N. G. Shelushinina, S. M. Podgornykh, M. V. Yakunin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky // Физика низких температур. - 2017. - Т. 43, № 4. - С. 605-611. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2017_43_4_12 We have measured the temperature (2,9 << T << 50 K) and magnetic field (0 << B << 9 T) dependences of longitudinal and Hall resistivities for HgCdTe/HgTe/HgCdTe system with HgTe quantum well width of 20,3 nm. The activation analysis of the experimental magnetoresistivity traces has been used as a quantitative tool to probe inter-Landau level distances. The activation energies were determined from the temperature dependence of the longitudinal resistivity in the regions of quantized Hall plateaus (for the filling factors - of 1, 2 and 3) and the indications of the large values of the g factor = 30 - 75 were found. | ||
| 2. |
Gudina S. V. Scaling laws under quantum Hall effect for a smooth disorder potential [Електронний ресурс] / S. V. Gudina, A. S. Klepikova, V. N. Neverov, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin // Фізика низьких температур. - 2019. - Т. 45, № 2. - С. 204-209. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2019_45_2_9 Проведено аналіз експериментальних значень критичного параметра квантових холлівських переходів - типу "плато - плато" в селективно легованій гетероструктурі GaAs/AlGaAs. Виявлено, що ці значення в основному зосереджені в діапазоні <$E kappa~=~0,5~-~0,7>. Стверджується, що в межах теоретичних уявлень про великомасштабний потенціал безладу це відповідає межі між процесами квантового тунелювання та класичним режимом перколяції. Так само величина критичної експоненти <$E kappa~=~0,54~symbol С~0,01> для ширини смуги делокалізованних станів, отримана для гетероструктури на основі HgTe з інвертованим спектром, може бути пов'язана з плавним характером домішкового потенціалу в дослідженій системі. | ||
| 3. |
Gudina S. V. HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential [Електронний ресурс] / S. V. Gudina, Yu. G. Arapov, V. N. Neverov, S. M. Podgornykh, M. R. Popov, E. V. Deriushkina, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky // Фізика низьких температур. - 2019. - Т. 45, № 4. - С. 476-483. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2019_45_4_11 | ||
| 4. |
Gudina S. V. Quasiclassical calculations of Landau level spectrum for 20.5-nm-wide HgTe quantum well: "extremum loop” model and effects of cubic symmetry [Електронний ресурс] / S. V. Gudina, A. S. Bogolubskiy, V. N. Neverov, K. V. Turutkin, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin // Фізика низьких температур. - 2021. - Т. 47, Вип. 1. - С. 11-17. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2021_47_1_5 У квантовій ямі (КЯ) HgTe шириною 20,5 нм з інвертованим зонним спектром виконано квазикласичні розрахунки ефективної маси та спектра рівнів Ландау (РЛ) для носіїв розмірно-квантованої підзони H2 із немонотонним законом дисперсії, що утворює валентну смугу в цій структурі. Для розрахунків використано модель так званої "петлі екстремумів", раніше розроблена Рашбою та Шекою для напівпровідників із граткою вюрцита. Отримані результати порівняно з емпіричною картиною та з квантово-механічними розрахунками спектра РЛ для КЯ HgTe в напівметалевій фазі. | ||
| 5. |
Savelyev A. P. Localization and interference induced quantum effects at low magnetic fields in InGaAs/GaAs structures [Електронний ресурс] / A. P. Savelyev, Yu. G. Arapov, S. V. Gudina, V. N. Neverov, S. M. Podgornykh, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin // Фізика низьких температур. - 2021. - Т. 47, Вип. 1. - С. 18-23. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2021_47_1_6 Експериментально досліджено поздовжній <$E rho sub xx (B,~T)> і холлівський <$E rho sub xy (B,~T)> опори в наноструктурах n-InGaAs/GaAs з одиничними та подвійними квантовими ямами в діапазоні магнітних полів (МП) B = 0 - 2,5 Тл і температур T = 1,8 - 20 К. Показано, що походження температурно-незалежної точки, що знаходиться поблизу <$E omega sub c tau~symbol @~1> на кривих <$E rho sub xx (B,~T)>, пов'язане зі спільною дією класичного циклотронного руху та квантових інтерференційних ефектів слабкої локалізації й електрон-електронної взаємодії. Отримані результати свідчать, що перехід із діелектричної фази у фазу квантового ефекту Холла (КЕХ) є кросовером від слабкої локалізації (квантові інтерференційні ефекти в слабкому МП) до сильної локалізації при квантуванні МП у режимі КЕХ. | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |